Fujitsu produziert ab 2013 GaN-Leistungsbauelemente für hocheffiziente Stromversorgungseinheiten
2012-11-26
GaN-Technologie ermöglicht hohe Ausgangsleistung von 2,5 kW bei Server-Netzteilen Im Jahr 2013 läuft bei Fujitsu Semiconductor die Produktion von GaN-Leistungsbauelementen für hocheffiziente Server-Netzteile mit einer Ausgangsleistung von 2,5 kW an. Langen, Deutschland, 26. November 2012 – Fujitsu Semiconductor hat durch die Implementierung seiner Galliumnitrid-Leistungsbauelemente (GaN) auf Siliziumsubstrat in Stromversorgungseinheiten fürArtikel Lesen