ATP erweitert sein Automotive- und Industrial-Produktportfolio um 3D TLC basierte S600 Sia SD/microSD Karten
2019-10-15
64-layer 3D NAND basierte zuverlässige Speichermedien, kundenspezifisch anpassbarArtikel Lesen
Mersen stellt neue Produkte auf der PCIM Europe 2019 vor
2019-04-30
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Wir laden Sie ein, die neuesten Entwicklungen von Mersen auf der PCIM EUROPE in Nürnberg vom 7. bis zum 9. Mai in Halle 9, Stand 549 kennenzulernen.Artikel Lesen
Electronica 2018: Teledyne e2v präsentiert neue Version seines preisgekrönten Digital-Analog-Converters
2018-11-14
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Teledyne e2v präsentiert mit seinem neuen Digital-Analog-Converter (DAC) EV12DS480 eine Weiterentwicklung des preisgekrönten EV12DS460.Artikel Lesen
Fujitsu zeigt ARM® CortexTM-M-Lösungen auf der Embedded World 2013
2013-02-21
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Tagged: ARM-Cortex-M, Electronik, embedded world, FM Family, FRAM, FSEU, Fujitsu, Glyn, Halbleiter, Mikrocontroller
Besuchen Sie Fujitsu Semiconductor Europe auf den Messeständen unserer Partner Glyn, MSC und EBV At Embedded World 2013 FSEU presents ARM® CortexTM-M Solutions at the booths Langen, Deutschland – 21. Februar 2013 – Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) präsentiert auf der Embedded World 2013 in Nürnberg vom 26. bis 28. FebruarArtikel Lesen
Protest gegen hohe Strompreise
2013-02-20
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Bei Protesten gegen zu hohe Strompreise in Bulgarien ist es in der Hauptstadt Sofia den zweiten Abend in Folge zu Zusammenstößen zwischen Demonstranten und der Polizei gekommen. Dabei wurden mindestens zehn Menschen verletzt. Sofias Polizeichef Waleri Jordanow erklärte, auch drei Polizisten seien bei den Ausschreitungen verletzt worden. Die Polizei nahmArtikel Lesen
Fujitsu produziert ab 2013 GaN-Leistungsbauelemente für hocheffiziente Stromversorgungseinheiten
2012-11-26
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GaN-Technologie ermöglicht hohe Ausgangsleistung von 2,5 kW bei Server-Netzteilen Im Jahr 2013 läuft bei Fujitsu Semiconductor die Produktion von GaN-Leistungsbauelementen für hocheffiziente Server-Netzteile mit einer Ausgangsleistung von 2,5 kW an. Langen, Deutschland, 26. November 2012 – Fujitsu Semiconductor hat durch die Implementierung seiner Galliumnitrid-Leistungsbauelemente (GaN) auf Siliziumsubstrat in Stromversorgungseinheiten fürArtikel Lesen
Fujitsu präsentiert Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung über kurze Reichweite auf Basis der Multi-Level-Signalling- und Advanced-ADC/DAC-Technologie
2012-09-06
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FSEU vervierfacht den Datendurchsatz über die OIF CEI-28G-VSR-Schnittstelle FSEU vervierfacht den Datendurchsatz über die OIF CEI-28G-VSR-Schnittstelle Langen, 6. September 2012 – Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) hat die erfolgreiche Übertragung mit mehr als 100 Gbps über einen einzigen CEI-28G-VSR-Kanal demonstriert. Der für diese elektrische Chip-zu-Chip-Schnittstelle durch das Optical Internetworking Forum (OIF)Artikel Lesen